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AGMS-DM+多功能探头

l 能量范围:20kV-160kV,精度±2%±0.7kV

l 半值层滤过:0.16-13.5mmAl

l 曝光时间:1ms-300s,精度± 0.1%  或者 0.2 ms

l 剂量范围:80 nGy – >100 Gy,精度±5%

l 剂量率范围:80 nGy/s – 200 mGy/s,精度±5%


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AGMS-D+  摄影/透视/牙科探头

l 能量范围:40kV-160kV,精度±2%±0.7kV

l 半值层滤过:1.3-13.5mmAl,精度为±0.2 mmAI

l 曝光时间:1ms-300s,精度± 0.1%  或者 0.2 ms

l 剂量范围:80 nGy – >100 Gy,精度±5%

l 剂量率范围:80 nGy/s – 200 mGy/s,精度±5%


AGMS-M+乳腺探头

图片5.pngl 能量范围:20kV-50kV,精度±2%±0.7kV

l 可选靶材料 Mo/MoMo/RhRh/RhW/AgW/RhW/Al

l 剂量范围:80 nGy – >100 Gy,精度±5%

l 剂量率范围:80 nGy/s – 200 mGy/s,精度±5%

l 半值层滤过:0.16-1.96 mmAI,精度为±5%±0.05 mmAI

l 曝光时间:1ms-300s,精度± 0.1%  或者 0.2 ms


图片6.png10X6-3CT  长杆电离室

l 探测器类型:空气电离室;

l 剂量率范围:20nGy/s-350 mGy/s

l 剂量范围:200nGy-1kGy

l 灵敏度:约±2%

l 能量响应:±5%,3 - 20mmAl HVL


图片7.png10×6-6M  乳腺剂量探头

l 有效体积:6cm3

l 剂量率范围:20 nGy/s - 88 mGy/s

l 剂量范围:100 nGy - 516 Gy

l 自动剂量阈值:19 μGy/s

l 刻度准确度:±4(30kVp&0.50mmAl HVL X 线机条件)


10X6-6 通用电离室

图片8.pngl 剂量率范围:20 nGy/s - 149 mGy/s

l 剂量范围:100 nGy - 516 Gy

l 自动剂量阈值:19 μGy/s

l 能量依赖性:±5%, 30 keV -1.33 MeV

l 刻度准确度: ±4% @ 60kVp & 2.8 mmAl HVL X 射线)


图片9.png10X6-180 泄露和低水平测量电离室

l 剂量率范围:1 nGy/s - 4.9 mGy/s

l 剂量范围:2 nGy - 17 Gy

l 自动剂量阈值:1 μGy/s

l 有效体积:180 cm3

l 响应时间:波形模式开启:<5ms;波形模式关闭:100ms


图片10.png10X6-1800 防护水平电离室

l 剂量率范围:0.1 μGy/hr - 200 μGy/s

l 剂量范围:0.01 nGy - 1.7 Gy

l 自动剂量阈值:63 pGy/s

l 有效体积:1800 cm3

l 能量依赖性: ±5%, 30 keV -1.33 MeV


10X6-0.18 高剂量率电离室

l 剂量率范围:500 nGy/s - 6.31 Gy/s

图片11.pngl 剂量范围:2 μGy - 17 kGy

l 刻度准确度:±4% @60Co

l 能量依赖性:±5%, 45 keV- 1.33 MeV

l 有效长度:8.1 mm ± 1 mm

l 有效体积:0.18 cm3


10X6-0.6 高剂量率电离室

图片12.png剂量率范围:200 nGy/s - 1.17 Gy/s

剂量范围:1 μGy - 5 kGy

刻度准确度:±4% @60Co

能量依赖性: ±5%, 40 keV - 1.33 MeV

有效长度:19.7 mm ± 1 mm

有效体积:0.6 cm3


图片13.png10X6-10 通用电离室

l 剂量率范围:20 nGy/s - 149 mGy/s

l 剂量范围:100 nGy - 516 Gy

l 自动剂量阈值:19 μGy/s

l 能量依赖性:±5%, 1.5 mm Al -15 mmAlhvl

l 有效体积:10.3 cm3


图片14.png10X6-60 图像增强器电离室

l 剂量率范围:2 nGy/s - 19 mGy/s

l 剂量范围:10 nGy - 52 Gy

l 自动剂量阈值:2 μGy/s

l 能量依赖性:±5%, 20 keV -1.33 MeV

l 有效体积:60 cm3


图片15.png10X6-0.6CT 现代宽束多层 CT 电离室

l 剂量率范围:200 nGy/s - 1.17 Gy/s

l 剂量范围:1 μGy - 5 kGy

l 能量依赖性:±5%, 3 - 20mm AL HVL

l 有效体积:0.6 cm3 ,有效长度:19.7 mm ± 1 mm


DDX6-WL 低能半导体探头

图片16.pngl 剂量率范围:500 pGy/s- 5.7mGy/s

l 剂量范围:2 nGy- 15 Gy

l 准确性:±5% X-ray@ 80kVp with 2.5 mm Al  总滤过)

l 能量依赖性:± 5% 50 kVp - 120 kVp @2.5 mmAI


AGLS 亮度/照度探头

图片17.pngl 亮度范围:0.05 to 50,000 cd/m² , 0.01 cd/m²

l 照度范围:0.05 to 50,000 lux 0.01 lux

l 亮度孔径:ø10mm 测量场

l 余弦响应:<4%(CIE f2 测试)


90M10-AG 非介入式电流探头

图片18.pngl 测量范围:2000 mA   9999 mAs

l mA 精度:读数的±4%

l 电池:2 xIEC-LR61.5VAA 碱性)寿命:大约 35 个工作小时。

l 在存在强电磁场的情况下,性能可能会降低至 1 安培;


图片19.png90M9-AG 介入式电流探头

l 测量范围:2000 mA   9999 mAs

l mA 精度:读数的 0.2%

l mAs 精度:5 uAs or 0.2% of reading

l 电池:<span style="font-family: 'Times